Описание продукта

Эффект Холла, Ge-полупроводник n-типа, несущая панель

Эффект Холла, Ge-полупроводник n-типа, несущая панель

Номер артикля: 11802-01

Распечатать
  • Описание
  • Возможные эксперименты
  • Загрузка и документы

Function and Applications

In connection with Halleffect-module for determination of temperature dependent Hall voltage and conductivity of nondoped semiconductors.

Equipment and technical data

  • Heatable carrier board with n-Ge-crystal, Pt100-Thermocouple, integrated heating and 4-mm-connection plugs.
  • Dimensions of crystal (mm): 20 x 10 x 1.
  • Spec. resistance: approx. 2.0-2.5 Ohm cm-
  • Max. crystal temperature: 170 °C.
  • Max. probe current: +/- 60 mA.
  • Dimensions of circuit board (mm): 73 x 70 x 3.
  • Weight: 0.03 kg
Документ     размер файла
1180100e.pdf Operating instructions, English 937.49 KB