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Données techniques

Diode Si, 1N 4007, boîtier G1

Article n° : 39106-02

Fonction et Applications

Diode semi-conductrice dans un boîtier plastique.

Equipement et données techniques

  • Dimensions (mm) : 37 x 18 x 32
  • Avec des fiches de 4 mm avec une distance de 19 mm
  • Tension inverse : 1000 V
  • Courant inverse (25 °C) : 30 µA
  • Tension directe : 1,1 V
  • Courant direct : 1000 mA
 
PHYWE Systeme GmbH & Co. KG
Robert-Bosch-Breite 10 – 37079 Göttingen – Deutschland
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