Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Кат.номер P2541605 | Тип: Эксперименты

30 Протокол
10-13 классы, Университет
Студенты
большой сайт

Unknown

Принцип

Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.

Задание

1. Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.

2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.

Получаем понятие о

• кристаллические решетки

• кристаллические системы

• классы кристаллов

• решетка Браве

• обратная решетка

• индексы Миллера

• амплитуда структуры

• атомный форм-фактор

• уравнение Брэгга

Бесплатная доставка от 300,- €