Технические характеристики

Рентгеновское изучение кристаллических структур / метод Лауэ

Кат.номер: P2541605

<!DOCTYPE html PUBLIC "-//W3C//DTD XHTML 1.0 Strict//EN" "http://www.w3.org/TR/xhtml1/DTD/xhtml1-strict.dtd"> Unknown

Принцип

Диаграммы Лауэ получают при облучении монокристаллов полихроматическим рентгеновским излучением. Этот метод в основном используется для определения симметрии и ориентации кристаллов. Когда монокристалл LiF облучают полихроматическим рентгеновским излучением, получается характерная дифракционная картина. В эксперименте этот образец фотографируется, а затем оценивается.

Задание

1. Запишите на пленке дифракцию Лауэ монокристалла LiF.

2. Соотнесите индексы Миллера соответствующих кристаллических поверхностей к отражениям Лауэ.

Получаем понятие о

• кристаллические решетки

• кристаллические системы

• классы кристаллов

• решетка Браве

• обратная решетка

• индексы Миллера

• амплитуда структуры

• атомный форм-фактор

• уравнение Брэгга

Объём поставки

XR 4.0 X-ray Базовая рентгеновская установка, 35 кВ	09057-99	1
XR4 Съёмная рентгеновская трубка Plug-in Cu tube	09057-51	1
XR 4.0 Рентгеноструктурный анализ, расширение	09145-88	1